Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIB417AEDK-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 9A PPAK SC75-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-75-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIB417AEDK
SIB417AEDK-T1-GE3 Hakkında
SIB417AEDK-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel Metal Oxide MOSFET transistördür. 8V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drain akımı ile belirtilmiştir. 32mOhm (4.5V, 3A koşullarında) açık hal direnci (Rds On) sağlar. PowerPAK SC-75-6 yüzey montaj paketinde sunulur. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışır. 2.4W (Ta) ve 13W (Tc) maksimum güç dağılımına sahiptir. Gate charge değeri 18.5nC (5V), input capacitance 878pF (4V)'dir. Bu bileşen düşük voltajlı anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. OBSOLETE durumdadır ve yeni tasarımlarda alternatif bileşen seçilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.5 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 878 pF @ 4 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-75-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-75-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok