Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIB415DK-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 9A PPAK SC75-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-75-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIB415DK
SIB415DK-T1-GE3 Hakkında
SIB415DK-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj kapasitesi ve 9A sürekli drain akımı ile çalışır. PowerPAK SC-75-6 SMD paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 87mOhm maksimum on-state direnci, düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışır. Motor sürücüleri, güç yönetimi, analog anahtar ve load switch devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Teknik veriler: Vgs(th) 3V @ 250µA, Gate Charge 10.05nC @ 10V, Input Capacitance 295pF @ 15V. Bileşen üretim durdurulmuş (Obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.05 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 295 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-75-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 87mOhm @ 4.17A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-75-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok