Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIB413DK-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-75-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIB413DK
SIB413DK-T1-GE3 Hakkında
SIB413DK-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajında 9A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK SC-75-6 paketinde sunulan bu bileşen, 75mOhm maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük kayıplar sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu MOSFET, güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. Surface mount montaj tipi ile modern PCB tasarımlarına uyumludur. Maksimum kapı gerilimi ±12V, kapı eşik gerilimi 1.5V @ 250µA'tir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.63 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 357 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-75-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-75-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok