Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIB412DK-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-75-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIB412DK
SIB412DK-T1-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIB412DK-T1-GE3, N-channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drain akımı kapasitesiyle, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. PowerPAK® SC-75-6 yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, 34mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli iletim sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve otomotiv, endüstriyel denetim, güç yönetimi ve portabl cihazlarda yer alan anahtarlama devrelerinde uygulanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.16 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 535 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-75-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 6.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-75-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok