Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIB412DK-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-75-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIB412DK
SIB412DK-T1-E3 Hakkında
SIB412DK-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj kapasitesi ve 9A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. PowerPAK SC-75-6 paket tipi ile surface mount uygulamalarına uygundur. Maksimum 34mΩ RDS(ON) değeri düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, power management sistemleri ve genel amaçlı MOSFET uygulamalarında tercih edilir. Gate charge değeri 10.16 nC olup, hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.16 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 535 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-75-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 6.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-75-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok