Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIB411DK-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-75-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIB411DK
SIB411DK-T1-E3 Hakkında
SIB411DK-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim ve 9A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. PowerPAK SC-75-6 yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (66mOhm @ 3.3A, 4.5V) ile verimli anahtarlama uygulamaları sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve maksimum 13W (Tc) güç tüketebilir. Güç yönetimi, pil şarj devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. Cihazın obsolete durumda olması sebebiyle yeni tasarımlarda alternatif bileşenlerin değerlendirilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 470 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-75-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 66mOhm @ 3.3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-75-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok