Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIB410DK-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SC75-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-75-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIB410DK
SIB410DK-T1-GE3 Hakkında
SIB410DK-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drenaj akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SC-75-6 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarım sağlar. 1.8V-4.5V gate sürücü gerilimi aralığında çalışır ve maksimum 42mΩ on-resistance değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında geniş sıcaklık aralığında çalışabilir. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç yönetimi devrelerinde uygulanır. Düşük kapasitans ve hızlı anahtarlama özellikleri ile dikkat çeker.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 560 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-75-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 13W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 3.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-75-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok