Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SIB408DK-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
PowerPAK® SC-75-6
Seri / Aile Numarası
SIB408DK

SIB408DK-T1-GE3 Hakkında

Vishay SIB408DK-T1-GE3, N-Channel MOSFET transistörü olup 30V drain-source gerilimi ve 7A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK® SC-75-6 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 40mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge değeri 9.5nC @ 10V olup hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında şematik tasarımlı DC-DC konvertörler, motor kontrolü, güç yönetimi ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 13W maksimum güç tüketimi ile orta seviye güç uygulamalarında etkindir. Ürün şu anda piyasadan çekilmiş olup, alternatifleri değerlendirilmelidir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® SC-75-6
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® SC-75-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok