Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIB406EDK-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC75-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-75-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIB406EDK
SIB406EDK-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIB406EDK-T1-GE3, N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltajı ve 6A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerini yerine getirir. 46mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli enerji transferi sağlar. PowerPAK SC-75-6 yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Mobil cihazlar, güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-75-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.95W (Ta), 10W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 3.9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-75-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok