Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIB404DK-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 9A PPAK SC75-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-75-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIB404DK
SIB404DK-T1-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIB404DK-T1-GE3, N-Channel MOSFET transistörüdür. 12V drain-source voltaj ile 9A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, PowerPAK® SC-75-6 yüzey montajlı paketinde sunulmaktadır. 4.5V gate sürüş voltajında maksimum 19mOhm RDS(on) direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklığı aralığında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılmaktadır. Gate yükü 15nC ile hızlı anahtarlama işlemi gerçekleştirir. Bileşen şu anda üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-75-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 13W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-75-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok