Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIAA40DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIAA40DJ
SIAA40DJ-T1-GE3 Hakkında
SIAA40DJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 30A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® SC-70-6 surface mount paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance değeri (12.5mOhm @ 10V) nedeniyle verimli anahtarlama ve güç dağıtım uygulamalarında tercih edilir. Mobil cihazlar, enerji yönetim devreleri, DC-DC konvertörleri ve pil şarj sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygunluk sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 19.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.5mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok