Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIAA02DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 22A/52A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIAA02DJ
SIAA02DJ-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIAA02DJ-T1-GE3, 20V drain-source gerilimi ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 22A sürekli dren akımı (Ta) ve 52A (Tc) nominal kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 4.7mΩ on-resistance değeri düşük güç kayıpları sağlar. PowerPAK SC-70-6 SMD paketinde sunulan bu transistör, DC-DC konvertörler, güç dağıtım sistemleri, motor kontrol devreleri ve anahtar uygulamalarında yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışır, 3.5W (Ta) ve 19W (Tc) ısıl yayılım kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Ta), 52A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1250 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +12V, -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok