Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIAA00DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 20.1A/40A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIAA00DJ
SIAA00DJ-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIAA00DJ-T1-GE3, N-kanal MOSFET transistörüdür. 25V drain-source gerilim (Vdss) ile 20.1A sürekli akım ve 40A pulslu akım kapasitesine sahiptir. 5.6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük direnç karakteristiğine sahip olan bu transistör, PowerPAK® SC-70-6 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. Güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve DC/DC dönüştürücüler gibi düşük voltaj güç elektronik sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 4.5V ve 10V gate sürüş gerilimleri ile standart dijital kontrol sinyalleriyle uyumlu şekilde tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20.1A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1090 pF @ 12.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +16V, -12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok