Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA850DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 190V 950MA PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA850DJ
SIA850DJ-T1-GE3 Hakkında
SIA850DJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 190V drain-source gerilim ve 950mA sürekli dren akımı ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® SC-70-6 Dual yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, entegre Schottky diyot içerir ve 3.8Ω maksimum RDS(ON) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında, düşük sinyal kayıpları ve hızlı anahtarlama gerektiği endüstriyel kontrolcüler, DC-DC konvertörler ve güç yönetimi devreleri için uygun bir çözümdür. Bileşen kullanım dışı (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 950mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 190 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 90 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta), 7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8Ohm @ 360mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok