Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA817EDJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA817EDJ
SIA817EDJ-T1-GE3 Hakkında
SIA817EDJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj kapasitesi ve 4.5A sürekli dren akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 65mOhm maksimum RDS(on) değeri (10V, 3A'de) düşük ısı kaybı sağlar. İzole Schottky diyot içeren tasarımı hızlı anahtarlama ve koruma özelliği sunar. PowerPAK SC-70-6 Dual paketinde sunulan bileşen, kompakt PCB tasarımları için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Anahat kontrol devreleri, güç yönetimi, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok