Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA814DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA814DJ
SIA814DJ-T1-GE3 Hakkında
SIA814DJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim ile 4.5A sürekli drenaj akımına kapaklıdır. PowerPAK SC-70-6 Dual paketinde sunulan bu transistör, 61mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direncine sahiptir. Entegre Schottky diyodu ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahip olan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. MOSFET teknolojisi kullanılarak tasarlanan SIA814DJ, güç yönetimi devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve ses amplifikatörü kontrolünde kullanılır. Düşük gate charge ve input capacitance değerleri ile hızlı sürüş imkanı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 340 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 61mOhm @ 3.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok