Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA811DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA811DJ
SIA811DJ-T1-GE3 Hakkında
SIA811DJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajında 4.5A sürekli akım yeteneğine sahiptir. PowerPAK SC-70-6 Dual paketinde sunulan bu komponent, izole Schottky diyot içermektedir. 94mOhm maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük ısıl kayıplar sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 1.9W (25°C'de) maksimum güç tüketimi ile kompakt tasarımları destekler. 13nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 355 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 94mOhm @ 2.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok