Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA810DJ-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA810DJ
SIA810DJ-T1-E3 Hakkında
SIA810DJ-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajı ve 4.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SC-70-6 Dual paketinde sunulan bu bileşen, 53mOhm (4.5V, 3.7A'de) Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. İzole edilmiş Schottky diyot özelliği ile DC-DC konvertörleri, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Bileşenin durumu sonlandırılmış (obsolete) olup, arşiv uygulamaları veya mevcut tasarımların bakımı için temin edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53mOhm @ 3.7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok