Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA485DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA485DJ
SIA485DJ-T1-GE3 Hakkında
SIA485DJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source voltaj kapasitesi ve 1.6A sürekli akım ile tasarlanmıştır. PowerPAK® SC-70-6 yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, 10V gate sürücü voltajında 2.6Ω on-resistance değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, load switching ve inverter tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. Düşük gate charge (6.3nC) ve minimal input capacitance (155pF) özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 155 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 15.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok