Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA483DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA483DJ
SIA483DJ-T1-GE3 Hakkında
SIA483DJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj kapasitesi ve 12A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. PowerPAK® SC-70-6 SMD paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-state direnci (21mOhm @ 10V) sayesinde güç yönetimi ve anahtar uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihaz, batarya yönetim sistemleri, güç dönüştürücüleri ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 45nC gate charge ve 1550pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1550 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok