Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA483ADJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 10.6A/12A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA483ADJ
SIA483ADJ-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIA483ADJ-T1-GE3, P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilimi ve 10.6A (Ta) / 12A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK SC-70-6 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde ve düşük-sinyal amplifikasyon sistemlerinde kullanılır. 20mΩ maksimum RDS(on) değeri, enerji verimliliğini destekler. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve maksimum 3.4W (Ta) / 17.9W (Tc) güç tüketebilir. Geri çeken kapı gerilimi özelliği sayesinde tamamlayıcı devre tasarımlarında kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.6A (Ta), 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 950 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.4W (Ta), 17.9W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +16V, -20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok