Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA477EDJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA477EDJ
SIA477EDJ-T1-GE3 Hakkında
SIA477EDJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi ve 12A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Vgs(th) eşik gerilimi maksimum 1V'dir. RDS(on) değeri 4.5V Vgs ve 7A dren akımında 14mOhm olarak belirtilmiştir. PowerPAK® SC-70-6 SMD paketinde sağlanan bu bileşen, düşük on-resistance karakteristiği sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Tüketici elektroniği, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2970 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok