Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA469DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA469DJ
SIA469DJ-T1-GE3 Hakkında
SIA469DJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim kapasitesiyle ve 12A sürekli drain akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SC-70-6 yüzey montaj paketine sahip olan bu bileşen, düşük 26.5mΩ RDS(on) değeri sayesinde verimli çalışır. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ile 150°C arasında) stabil performans sunar. Anahtarlama hızı yüksek uygulamalar, güç yönetimi devreleri, batarya yönetim sistemleri ve motor kontrolü gibi alanlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1020 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 15.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26.5mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok