Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA468DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC70
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA468DJ
SIA468DJ-T1-GE3 Hakkında
SIA468DJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim (Vdss) ve 37.8A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 8.4mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahip olup, güç uygulamalarında verimli çalışır. PowerPAK® SC-70-6 yüzey montajlı paketinde sunulur. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığında ve 19W maksimum güç tüketimi ile tasarlanmıştır. Motor sürücüleri, güç kaynakları, LED aydınlatması ve genel amaçlı switching uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 37.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1290 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 19W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok