Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA467EDJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 31A PPAK SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA467EDJ
SIA467EDJ-T1-GE3 Hakkında
SIA467EDJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilim ve 31A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 13mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. PowerPAK SC-70-6 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama, güç yönetimi, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. -50°C ile +150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı endüstriyel ve otomotiv uygulamaları için uygun hale getirir. 72nC gate charge değeri hızlı anahtarlama sağlar. Surface mount tasarımı kompakt PCB tasarımlarına olanak tanır. Bileşen obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2520 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok