Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA461DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA461DJ
SIA461DJ-T1-GE3 Hakkında
SIA461DJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SC-70-6 yüzey monte paketinde sunulan bu transistör, 33mOhm maksimum RDS(on) değeri ile iyi iletkenlik sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 150°C) ve düşük gate charge (45nC) özellikleri sayesinde hızlı anahtarlama uygulamaları, power management devrelerinde ve batarya yönetim sistemlerinde tercih edilir. 1.8V-4.5V drive voltajı ile CMOS ve dijital lojik devrelere kolayca entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.4W (Ta), 17.9W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 5.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok