Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA459EDJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA459EDJ
SIA459EDJ-T1-GE3 Hakkında
SIA459EDJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drain akımı kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 35mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. PowerPAK® SC-70-6 yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, -50°C ile 150°C arasında çalışabilir. Motor kontrol, güç kaynakları, batarya yönetim sistemleri ve ses amplifikatörleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 2.5V ve 4.5V drive voltajlarında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 885 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.9W (Ta), 15.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok