Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA456DJ-T3-GE3
MOSFET N-CH 200V 1.1A/2.6A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA456DJ
SIA456DJ-T3-GE3 Hakkında
SIA456DJ-T3-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 1.1A (Ta) / 2.6A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. PowerPAK SC-70-6 yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu bileşen, 1.38Ω maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen komponentin gate charge değeri 14.5nC ve maksimum güç tüketimi 3.5W (Ta) / 19W (Tc) olarak belirtilmiştir. Düşük sinyal işleme, PWM kontrol, LED sürücü ve güç yönetimi devrelerinde yer bulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.1A (Ta), 2.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok