Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA453EDJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA453EDJ
SIA453EDJ-T1-GE3 Hakkında
SIA453EDJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim (Vdss) ve 24A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. PowerPAK SC-70-6 yüzey montaj paketi ile küçük alan gereksinimi sunar. Maksimum 18.5mΩ on-direnci ile düşük enerji kaybı sağlar. Gate şarj (Qg) 66nC olup hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -50°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrolü, LED sürücüleri ve enerji dönüştürme devrelerinde kullanılan genel amaçlı MOSFET'tir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18.5mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok