Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SIA450DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 240V 1.52A PPAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
PowerPAK® SC-70-6
Seri / Aile Numarası
SIA450DJ

SIA450DJ-T1-GE3 Hakkında

SIA450DJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 240V drain-source gerilimi ve 1.52A sürekli drenaj akımı ile çalışan bu bileşen, PowerPAK SC-70-6 yüzey montajı paketinde sunulmaktadır. 10V gate geriliminde 2.9Ω maksimum on-direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında işletme sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilen bir bileşendir. 3.3W (Ta) ve 15W (Tc) güç sönümleme kapasitesi ile tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.52A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 240 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.04 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 167 pF @ 120 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® SC-70-6
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.3W (Ta), 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9Ohm @ 700mA, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® SC-70-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok