Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA449DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA449DJ
SIA449DJ-T1-GE3 Hakkında
SIA449DJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 12A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® SC-70-6 yüzey montajlı paketidir. 20mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıplar sağlar. Gate Charge 72nC @ 10V, Input Capacitance 2140pF @ 15V özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştir. 3.5W (Ta) ve 19W (Tc) güç disipasyonuna sahip olup -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. LED sürücüleri, güç anahtarları, load switching ve batarya yönetim sistemlerinde kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2140 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok