Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA448DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 12A PPAK SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA448DJ
SIA448DJ-T1-GE3 Hakkında
SIA448DJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Vdss ile 12A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK SC-70-6 yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu bileşen, düşük on-state direnci (Rds(on): 15mΩ @ 4.5V) ile verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında, DC/DC konvertörleri, motor sürücüleri ve güç anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Düşük gate charge (35nC @ 8V) hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1380 pF @ 1 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 12.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok