Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA446DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA446DJ
SIA446DJ-T1-GE3 Hakkında
SIA446DJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 150V dren-kaynak gerilimi ve 7.7A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 177mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. PowerPAK SC-70-6 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrolü, LED sürücüleri ve düşük güç anahtar uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 10V gate sürüş gerilimi ile standart lojik seviyesi uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 230 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 177mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok