Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA445EDJT-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA445E
SIA445EDJT-T1-GE3 Hakkında
SIA445EDJT-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 12A sürekli dren akımı kapasitesi ile entegre devre kontrol uygulamalarında kullanılır. 16.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. PowerPAK SC-70-6 yüzey montajlı paketlemesi sayesinde kompakt PCB tasarımlarında yer alır. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve ters polarite koruması gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2180 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 19W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.7mOhm @ 7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok