Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA445EDJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA445EDJ
SIA445EDJ-T1-GE3 Hakkında
SIA445EDJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajında 12A sürekli akım kapasitesine sahiptir. PowerPAK SC-70-6 yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, düşük gate charge (72 nC @ 10V) ve kontrollü RDS(on) değerleri (16.5mΩ @ 7A, 4.5V) ile ayırıcı özelliklere sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına uyumludur. Endüstriyel kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi ve portable elektronik cihazlarda kullanılan bu transistör, kompakt tasarımı ve düşük güç tüketimi nedeniyle mobil ve batarya beslemeli sistemlere uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2130 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5mOhm @ 7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok