Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA444DJT-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA444
SIA444DJT-T1-GE3 Hakkında
SIA444DJT-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim ve 12A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtar görevi görmektedir. PowerPAK® SC-70-6 SMD paketinde sunulan bu bileşen, 17mΩ maksimum Rds(on) değeri sayesinde düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olan transistör, mobil cihazlar, güç yönetimi devreleri, LED sürücüleri ve portable elektronik uygulamalarında kullanılmaktadır. Gate charge değeri 15nC olup hızlı anahtarlama özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 560 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 7.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok