Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA443DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA443DJ
SIA443DJ-T1-GE3 Hakkında
SIA443DJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 9A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK SC-70-6 yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu komponen, 45mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir operasyon gerçekleştirir. Düşük gate charge (25nC) ve input capacitance (750pF) değerleri sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve portable cihaz tasarımlarında tercih edilir. Not: Bu komponent üretilmiş olup artık temin edilememektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.3W (Ta), 15W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 4.7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok