Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA440DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA440DJ
SIA440DJ-T1-GE3 Hakkında
SIA440DJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltajı ve 12A sürekli dren akımı ile güç uygulamalarında kullanılmak için tasarlanmıştır. PowerPAK SC-70-6 paketinde sunulan bu transistör, 26mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalar için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve yüksek frekans anahtarlama devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrol uygulamalarında ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Düşük gate charge değeri (21.5nC) hızlı anahtarlama performansını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok