Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA437DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA437DJ
SIA437DJ-T1-GE3 Hakkında
SIA437DJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajında 29.7A sürekli akım kapasitesine sahiptir. PowerPAK SC-70-6 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 14.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 90nC gate charge ve -50°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı bulunmaktadır. Motor kontrolü, güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2340 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok