Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA4371EDJ-T1-GE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA4371EDJ
SIA4371EDJ-T1-GE3 Hakkında
SIA4371EDJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel güç MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source voltaj desteği ve 6.4A (Ta) / 9A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. PowerPAK® SC-70-6 SMD paketinde sunulan bu bileşen, 45mOhm'luk maksimum on-direnci ve ±12V gate voltaj aralığı ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, 35nC gate yükü ve 2.9W (Ta) / 15.6W (Tc) güç dağıtım kapasitesi ile düşük güçlü dijital kontrol devrelerinde, güç kaynakları ve motor kontrol sistemlerinde uygulanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.4A (Ta), 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.9W (Ta), 15.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 3.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok