Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA436DJ-T4-GE3
MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA436DJ
SIA436DJ-T4-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIA436DJ-T4-GE3, N-channel MOSFET transistörüdür. 8V drain-source gerilimi ve 12A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK SC-70-6 yüzey montaj paketi ile gelen bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (9.4mOhm @ 4.5V) nedeniyle anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate charge değeri 25.2nC olup, hızlı anahtarlama gerekli olan DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi alanlarda kullanılır. Maksimum 3.5W (Ta) güç tüketimi ile kompakt tasarımlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25.2 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1508 pF @ 4 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.4mOhm @ 15.7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok