Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA431DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA431DJ
SIA431DJ-T1-GE3 Hakkında
SIA431DJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilim, 12A sürekli dren akımı ve 25mΩ maksimum on-direnci ile işaretlenmiştir. PowerPAK® SC-70-6 paketinde surface mount olarak sunulan bu bileşen, düşük güç tüketimli anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve elektrik güç kontrol sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında ve 3.5W (Ta) / 19W (Tc) maksimum güç dağılımında çalışabilir. Gaz boşaltma gerilimi (Vgs) ±8V, kapı yükü (Qg) maksimum 60nC'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok