Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA430DJ-T4-GE3
MOSFET N-CH 20V 12A/12A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA430DJ
SIA430DJ-T4-GE3 Hakkında
Vishay SIA430DJ-T4-GE3, N-Channel MOSFET transistörü olup 20V drain-source voltajında 12A sürekli akım kapasitesine sahiptir. PowerPAK SC-70-6 yüzey monte paketinde üretilen bu bileşen, düşük on-resistance değeri (13.5mOhm @ 10V) ile hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Gate charge değeri 18nC olup, 4.5V-10V arasında drive voltajında çalışmaktadır. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında stabil performans sunar. Mobil cihazlar, güç yönetimi devreleri, DC-DC konverterler ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok