Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA429DJT-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA429
SIA429DJT-T1-GE3 Hakkında
SIA429DJT-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. PowerPAK® SC-70-6 SMD paketinde sunulan bu transistör, düşük RDS(on) değeri (20.5mΩ @ 6A, 4.5V) ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate şarj değeri 62nC ve input kapasitansi 1750pF'dir. Anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında, motor kontrol sistemlerinde ve düşük gerilim mobil cihazlarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1750 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20.5mOhm @ 6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok