Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA427ADJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA427ADJ
SIA427ADJ-T1-GE3 Hakkında
SIA427ADJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 8V Vdss ile 12A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK SC-70-6 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 16mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 19W maksimum güç tüketim kapasitesi vardır. Kontrol uygulamaları, güç yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları ve entegre devre tasarımlarında kullanılır. 50nC gate charge değeri hızlı anahtarlama sürelerini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2300 pF @ 4 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 19W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 8.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok