Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA426DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA426DJ
SIA426DJ-T1-GE3 Hakkında
SIA426DJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ile maksimum 4.5A sürekli dren akımı sağlayabilir. PowerPAK SC-70-6 SMD paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-direnci (23.6mOhm @ 10V) ve hızlı anahtarlama özellikleri ile voltaj regülatörleri, güç yönetimi devreleri, anahtarlamak solenoidler ve motor kontrol uygulamalarında kullanılmaktadır. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur. Kompakt yüzey montaj paketi, yüksek entegre yoğunluk gerektiren tasarımlara olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1020 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23.6mOhm @ 9.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok