Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA4265EDJ-T1-GE3
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA4265EDJ
SIA4265EDJ-T1-GE3 Hakkında
SIA4265EDJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET güç transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ile çalışan bu bileşen, 7.8A (Ta) veya 9A (Tc) sürekli drenaj akımı sağlayabilir. 32mOhm maksimum açık durum direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. PowerPAK® SC-70-6 SMD paketinde sunulan transistör, motor kontrol, LED sürücüleri, güç dağıtım uygulamaları ve anahtarlama devreleri gibi endüstri uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 15.6W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.8A (Ta), 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1180 pF @ 0 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.9W (Ta), 15.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok