Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA425EDJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA425EDJ
SIA425EDJ-T1-GE3 Hakkında
SIA425EDJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajı ve 4.5A sürekli drain akımı kapasitesiyle, düşük güç uygulamalarında kullanılan bir yarıiletken bileşenidir. PowerPAK® SC-70-6 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 60mOhm maksimum on-resistance değeriyle (4.5V gate voltajında) anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yer alır. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu bileşen, taşınabilir cihazlar, güç yönetimi sistemleri ve düşük voltajlı kontrol devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Maksimum 2.9W (ortam sıcaklığında) güç dağılımına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.9W (Ta), 15.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 4.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok