Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA419DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA419DJ
SIA419DJ-T1-GE3 Hakkında
SIA419DJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ile 12A sürekli dren akımına sahiptir. PowerPAK® SC-70-6 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 4.5V gerilimde 30mΩ maksimum Rds(On) değeriyle düşük anahtarlama kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen transistör, 3.5W (Ta) güç tüketimiyle anahtar uygulamalarında, düşük sinyal seviyelesinde ve temel güç yönetimi devrelerinde kullanılır. Maksimum ±5V Vgs desteği ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Not: Bu parça üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 5.9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok