Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIA416DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIA416DJ
SIA416DJ-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIA416DJ-T1-GE3, 100V drain-source gerilimi ve 11.3A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. PowerPAK SC-70-6 SMD paketinde sunulan bu kompakt FET, 83mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kondüktans kaybı sağlar. Gate charge 10nC, input kapasitansi 295pF ve -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Genel amaçlı anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri ve hafif yük sürücü uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 295 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 83mOhm @ 3.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok